貼片鋁電解電容雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大局部空穴可以抵達集電結的邊境，并在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下抵達集電區(qū)，構成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中 , 發(fā)射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大局部 的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
假如
貼片鋁電解電容晶體管的共發(fā)射極電放逐大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，假如在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將呈現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，完成了雙極晶體管的電放逐大作用。
金屬氧化物半導體場效應三極管的根本工作原理是靠半導體外表的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來停止工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體外表的多數載流子棗空穴逐步減少、耗盡，而電子逐步積聚到反型。當外表到達反型時，電子積聚層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間構成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使貼片鋁電解電容半導體外表到達強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取不同數值時，反型層的導電才能將改動，在相同的 VDS 下也將產生不同的 IDS , 完成柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。
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